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SiR494DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
32
16
0
V GS = 3 V
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.001 8
0.0016
0.0014
0.0012
0.0010
0.000 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 500
6 8 00
5100
3400
1700
0
C rss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0
16
32
4 8
64
8 0
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
V DS = 6 V
6
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
4
V DS = 3 V
1.0
V GS = 4.5 V
V DS = 9 V
2
0
0. 8
0.6
0
21
42
63
8 4
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64824
S09-0874-Rev. A, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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